新的参考流程提供开放高效的射频设计解决方案

是德科技公司(纽约证券交易所股票代码： KEYS)、新思科技公司。(纳斯达克股票代码： SNPS)和Ansys (纳斯达克股票代码： ANSS)宣布推出 TSMC N4P RF 的新参考设计流程，这是该硅代工厂最先进的 4 纳米 (nm) 射频 (RF) FinFET 工艺技术。该参考流程基于Synopsys定制设计系列，并集成了Ansys多物理场平台，为寻求具有更高预测精度和生产力的开放式射频设计环境的客户提供了完整的射频设计解决方案。它为设计人员提供了一流的解决方案选择，包括与是德科技的射频集成电路 (RFIC) 设计和交互式电磁 (EM) 分析工具以及 Ansys 的签核电源完整性和电磁建模的经过验证的集成。

下一代无线系统具有更高的带宽、更多的连接设备、更低的延迟和更广泛的覆盖范围。用于无线数据传输的射频集成电路(例如收发器和射频前端组件)的设计复杂性不断增加。更高的电路频率、更小的特征尺寸以及复杂的布局相关效应使得高速设计物理具有挑战性，需要更准确和更全面的建模和仿真，以实现最高的性能和强大的产品可靠性。

TSMC 4nm RF 设计参考流程可提高 Synopsys Custom Compiler™ 设计和布局环境中的设计周转时间和布局效率。参考设计流程认证包括使用低于 6 GHz 低噪声放大器 (LNA) 和 LC 调谐压控振荡器 (LC VCO) 等关键设计组件对台积电 4nm 射频工艺设计套件 (PDK) 进行严格验证。该参考流程采用业界领先的工具，可实现高效的无源器件合成、EM 模型提取、扩展到包括器件金属的热感知电迁移分析，以及通过正确处理电感器下电路 (CUI) 结构进行布局后提取。

除了 Synopsys Custom Compiler 之外，开放式现代参考流程还包含：

Synopsys PrimeSim™ 仿真工具和 PrimeSim™ 可靠性环境提供黄金签核精度电路仿真性能，以及 Synopsys IC Validator™ 和 Synopsys StarRC™ 签核物理验证和提取解决方案。

Ansys Totem™提供热感知签核电迁移验证和电源完整性分析 (EM/IR)。RaptorX™和Exalto™提供签核电磁建模，具有独特的 CUI 功能，可显着减少面积并降低高达 50% 的成本。VeloceRF™为电磁设备提供全自动硅布局合成，包括多层螺旋电感器、巴伦/变压器和传输线，以实现最高的电路性能和精度。

Keysight PathWave ADS RFPro 提供快速、交互式 EM 电路联合仿真和分析，可在开发周期中提前发现并修复布局相关效应。PathWave RFIC 设计 (GoldenGate) 支持早期芯片设计和验证过程中的谐波平衡仿真。

是德科技 EDA 副总裁兼总经理 Niels Faché 表示：“是德科技、Synopsys 和 Ansys 扩大了与台积电的战略技术合作，以实现先进 4 纳米射频技术的射频设计更上一层楼。” “我们亲眼目睹 RF 设计人员努力使用老一代的解决方案和流程，而这些解决方案和流程从未适用于当今的 5G/6G 片上系统和 RF 子系统设计。新的布局相关效果可实现签核准确的详细仿真和建模其他商业工具和工作流程并不总是包含这些最新的代工厂要求，并且通常缺乏对具有数百个耦合信号端口的现代模拟设计进行建模的能力。

“Synopsys、Ansys 和是德科技利用数十年在定制模拟、射频和多物理场设计方面的专业知识，为我们共同的客户降低风险并加速成功，”Synopsys 战略和产品管理 EDA 部门副总裁 Sanjay Bali表示。“我们与 Ansys 和是德科技在支持台积电先进 4 纳米工艺节点的新射频设计参考流程方面的最新合作提供了开放且优化的流程，可为先进的 5G/6G 无线系统提供卓越的结果质量。”

“随着射频频率攀升至毫米波和次太赫兹范围，多物理场为我们的客户带来了优化功率、面积、可靠性和性能的新挑战，”电子、半导体、光学业务副总裁兼总经理 John Lee说道。安西斯。“客户的一次成功取决于在整个设计流程中应用一流的解决方案。Ansys 与是德科技和 Synopsys 合作，与台积电密切合作，在定制设计中提供我们业界领先的电源完整性和电磁建模技术满足高速电路设计人员需求的流程。”