pnp晶体管结构图_PNP晶体管的基础知识

PNP晶体管可以定义为：一种N型材料掺杂两种P型材料，例如，一种类型的晶体管称为PNP晶体管。它是一个电流控制装置。少量的基极电流控制发射极和集电极电流。PNP晶体管有两个背靠背连接的晶体二极管。二极管的左边叫发射极-基极二极管，二极管的右边叫集电极-基极二极管。

空穴中的电流由PNP晶体管的大部分载流子组成。晶体管中的电流是由空穴的运动产生的，而晶体管引线中的电流是由电子的流动产生的。当一个小电流流过PNP晶体管的基极时，它就会导通。PNP晶体管中的电流从发射极流向集电极。

PNP三极管的字母代表三极管的发射极、集电极、基极所需的电压。PNP晶体管的基极相对于发射极和集电极总是负的。在PNP晶体管中，电子是从基极引出的。进入基极的电流被放大到集电极端。

PNP晶体管的工作原理：

由于发射极推动基极区中的空穴，发射极-基极结以正向偏置连接。这些空穴构成了发射极电流。当这些电子进入N型半导体材料或基质时，它们会与电子结合。晶体管的基极非常薄，而且是轻掺杂的。因此，只有少数空穴与电子结合，其余的向集电极空间电荷层移动。从而产生基极电流。

反向偏压用于连接集电极-基极区。当耗尽区暴露于负极性时，集电极收集或吸引在耗尽区周围积累的空穴。从而产生集电极电流。集电极电流IC允许整个发射极电流通过。

PNP晶体管的结构；

PNP晶体管的结构如下图所示。发射极-基极结被正向偏置，集电极-基极结被反向偏置。正向偏压连接的发射极将电子吸引到电池，从而形成从发射极到集电极的电流。

晶体管的基极相对于集电极总是正的，因此来自集电极结的空穴不能进入基极。并且基极-发射极保持在前面，因此来自发射极区的空穴进入基极，然后通过耗尽区进入集电极区。在晶体管的三个部分发现了掺杂半导体。一边是发射极，一边是集电极。基数指的是中间区域。下面详细描述晶体管的三个组件。

(1)变送器：

发射器的工作是为接收器提供电荷载体。与基极相比，发射极总是正向偏置，以提供大量的电荷载流子。

(2)根据：

晶体管的基极是中间部分，发射极和集电极之间形成两个PN结。基极-发射极结正向偏置，使得发射极电路具有低电阻。由于基极-集电极结的反向偏置，集电极电路具有高电阻。

(3)收集器：

集电极是发射极对面收集电荷的部分。收集时，收集器总是向相反的方向倾斜。晶体管相当于两个二极管，因为它有两个PN结。发射极-基极二极管或发射极二极管是发射极和基极之间的结的名称。集电极和基极之间的结称为集电极-基极二极管或集电极二极管。

PNP晶体管的符号：

PNP晶体管用字母PNP表示。下图描绘了PNP晶体管的符号。在PNP晶体管中，电流从发射极流向集电极，如向内的箭头所示。

PNP晶体管的一般应用：

1.放大器电路使用它们。

2.在嵌入式项目中，晶体管被用作开关，并且由于快速开关，它们也被用于产生PWM信号。

3.(多晶体管配置)电路的使用。

4.在电机中，PNP晶体管用于控制电流。

5.在配对电路中，PNP晶体管用于同时产生有争议的功率。

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