场效应管做开关电路_场效应管开关电路原理

场效应晶体管开关电路原理效应晶体管在mpn里，外观和我们前面讲的三极管很像，所以很多一直在修mpn的朋友半天都分不清。他们把这些三极管、场效应晶体管、双二极管以及各种稳压IC统一称为“三脚管”。如果你这么麻木，你的维修技术可能很难突飞猛进！嗯，这里恐怕不需要映射场效应晶体管了。它通常用于电路图中：

说它的结构原理比较笼统，就不简单说它的应用了，因为根据应用场合的要求，品种很多，特点也不一样；mpn中我们常用的是作为电源的电控开关，所以需求量比较大，所以我们用特殊的制造方法制作了一个增强型场效应晶体管(MOS型)，其电路图符号为：

如果你仔细看，你会发现这两张图似乎有区别。顺便说一下，这实际上是两个不同的增强型场效应晶体管。第一种叫N沟道增强型场效应晶体管，第二种叫P沟道增强型场效应晶体管。它们的功能正好相反。前面说了，场效应管是一个用电控制的开关，先说一下怎么用它当开关。从图中我们可以看到它也有三个像三极管一样的脚，分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。mpn中的patch元素表示如下：

管脚1是栅极，这个栅极是控制极。栅极加电压，不加电压，控制2脚和3脚是否连接。在N沟道的情况下，当电压加到栅极时，管脚2和管脚3都是通电的，当电压去掉时，管脚2和管脚3都是关断的，而在P沟道的情况下，正好相反，当电压加到栅极时管脚2和管脚3都是关断的(高电位)，当电压去掉时管脚3是导通的(低电位)！

p沟道MOS晶体管在我们常见的2606主控电路图的上电电路中经常遇到：

上图中的SI2305是P沟道MOS晶体管。下面介绍一下上电电路的工作原理。

电池的阳极通过开关S1连接到场效应晶体管Q1的两引脚源极，因此其一引脚栅极通过R20电阻器获得正电势。由于Q1是P沟道MOS晶体管，场效应晶体管处于关断状态，电压无法继续通过，所以3V稳压IC的输入引脚因为得不到电压而无法工作。此时，它处于关闭状态。

当按下SW1电源按钮时，电源的正极通过按钮R11、 R23、 D4连接到晶体管Q2的基极。此时，晶体管Q2的基极获得正电位，晶体管Q2导通。由于晶体管的发射极直接接地，晶体管Q2的导通相当于Q1的栅极直接接地，导致Q1的栅极从高电位变为低电位，Q1导通，电流通过Q1流向3V稳压IC。主控制器通过复位和清零、读取固件程序检测等一系列动作向Q2的PWR_ON的基极输出控制电压。并坚持Q2始终处于导通状态，使Q1能持续向3v稳压IC提供工作电压，电源处于启动状态。

同时，SW1由两个电阻R11、 r30分压，向主控制器的PLAYON引脚发送不同时间的控制信号。主控制器被固件识别为播放、暂停、开启、关闭后，输出不同的结果到相应的控制点，从而达到不同的工作状态。

FET开关的电路图如图：当GPIO端为低电平时，三极管导通，三极管第三脚输出3.3V当GPIO端为高时，三极管截止，三采样管的第三脚输出0V.

场效应晶体管在开关振荡电路中的应用开关集成电路U101中的振荡器开始振荡，为场效应晶体管Q101的栅极G提供振荡信号，使得场效应晶体管Q101开始振荡，在开关变压器T101的初级绕组中产生开关电流，在开关变压器的次级绕组中产生感应电流3、4。三个管脚的输出被整流和滤波以形成正反馈电压，该电压被施加到U101的七个管脚，从而维持振荡电路的操作。FET作为该电路中的脉冲放大器，用来实现“开关振荡”的功能。

MOS管工作在开关状态时在开关应用中的作用：Q1、Q2依次导通，MOS管栅极处于反复充放电状态。假设此时电源关断，MOS管的栅极有两种状态；一种状态是；在放电状态下，栅极的等效电容中没有电荷存储，一种状态是：在充电状态下，栅极的等效电容正好处于充电状态，如图2-5-A 5-a所示.虽然切断了电源，但Q1、Q2此时也处于关闭状态，没有电路释放电荷。MOS管栅极的电场仍然存在(可以长期存在)，建立导电沟道的条件并没有消失。这样，在重新启动的瞬间，由于激励信号尚未建立，而MOS管的漏极电源(VDS)是在启动瞬间随机提供的，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控制的巨大漏极电流ID，导致MOS管烧坏。为了避免这种现象，在MOS晶体管的栅极和源极之间并联一个漏极电阻R1，如图2-5-B所示，关断电源后存储在栅极的电荷通过R1迅速释放。这个电阻的阻值不能太大，以保证电荷的快速释放，一般在5 K ~ 10 K左右。