GaN应用,如何把GaN的特性完全发挥出来呢

要充分发挥GaN的特性，需要优秀的电源管理芯片(PMIC)。

在实现高频高效的同时，还需要保证电源在各种极端应用场景下可靠、稳定、无噪声地工作。

鑫茂威第二代内置GaN高频QR驱动器

为了提高工程师布局的便利性，简化客户的工作量，新茂微推出了密封Gan芯片LP88G24DCD。

LP88G24DCD内置650V级联GaN功率器件，采用QFN8*8封装，进一步减小芯片的板面积。底部采用一体化铜基板设计，散热性能极佳。

芯片引脚之间的爬电距离为2mm。

为了适应各种恶劣场景，如潮湿、极寒、极热、高海拔地区；在这些场合，需要足够的爬电距离来保证极端情况下高低压之间不击穿；LP88G24DCD HV引脚与漏极引脚、高压引脚和低压信号引脚的爬电距离延长至2mm；因此，它在各种电源应用中具有高可靠性。

出色的EMC性能

由于LP88G24DCD密封芯片外置了主控和GaN的驱动引脚，便于通过串联电阻提高EMC性能。

丰富的保护功能可分为：

在QR模式下，工作频率为25kHz~500kHz，具有底部锁定和打开模式。

内置高压启动(HV)和X电容放电功能。

极轻负载下的“软跳频”工作模式，可以实现低功耗、无噪声。

芯片内置输出电流感应和计算单元，可以精确控制电源的输出过流点。

单、双绕组变压器的灵活方案设计

双绕组：可降低输出高电压时的功耗。

单绕组：使用VccH供电，无需外部LDO电路。

35V VccL管脚设置为优先供电管脚，当VccL的电压低于9V时，VccH电源开启；利用这两个引脚组成双绕组供电方式，方便在高输出电压下节省功耗；

也可以只使用VccH引脚(耐压200V ),以节省外部LDO器件或Vcc绕组和整流滤波器电路的成本。

65W PD演示

设计电路简化，外围简单，产品体积进一步缩小。

高压转换效率94%以上，低压转换效率92%以上。

出色的待机功耗

出色的EMI特性

AC 115v/50Hz-20V/3.25 a CE-L AC 115v/50Hz-20V/3.25 a CE-N

AC 230v/50Hz-20V/3.25 a CE-L AC 230v/50Hz-20V/3.25 ace-N

AC115V/50Hz-20V/3.25A立式AC115V/50Hz-20V/3.25A卧式。

AC230V/50Hz-20V/3.25A立式AC230V/50Hz-20V/3.25A卧式。

审计刘清