v-nand ssd,SanDisk发布业界领先的19纳米SSD

针对超薄超极本、笔记本电脑和平板设备终端用户对计算效率和响应速度更高的固态硬盘的需求，闪迪在业内率先发布了由19nm NAND Flash制成的固态硬盘(SSD)，以满足消费者和PC厂商对更高计算效率和更快响应速度的需求。

闪迪客户存储解决方案营销总监Cliff Sun表示，现阶段三星、英特尔、美光、东芝和？在闪迪的五大SSD供应商中，只有闪迪拥有自己的NAND闪存晶圆厂，因此其SSD成本更具竞争力，可以更快地引入先进的纳米工艺投产新一代SSD解决方案。

SanDisk客户存储解决方案营销总监Cliff Sun

据了解，闪迪采用了先进的19 nm工艺SSD，还引入了自己的智能闪存架构——专利高性能分层系统架构，以及公司独家的nCache加速技术，可以实现更高的性能、更快的响应速度、更省电。

孙指出，该公司采用19纳米工艺量产的SSD，连续读写速度高达每秒550MB/s，随机读取高达每秒95000次输入输出操作(IOPS)，随机写入高达78000次IOPS，因此可以更好地满足游戏玩家和多媒体终端消费者对笔记本电脑和平板设备的性能和响应速度要求。

此外，为了进一步协助笔记本电脑、超极本和平板设备的品牌客户降低整体物料清单(BOM)成本，闪迪采用19 nm工艺生产的新SSD将内置自研主控制器。不过，孙强调，虽然公司已经为19纳米SSD开发了自己的控制器，但目前其他系列产品线仍在使用Marvell、LSI、SK Hynix等控制器厂商供应的产品，外部购买控制器的比例不能透露。

另一方面，鉴于二维(2D)NAND Flash在10纳米工艺将面临小型化的瓶颈，孙认为，IM Flash和东芝正在规划的3D NAND工艺有望突破NAND Flash的小型化壁垒，有望成为NAND Flash生产技术的大势所趋。但将该工艺技术引入量产仍面临诸多挑战，因此闪迪将根据客户需求提出未来开发3D NAND工艺的相关计划。