三星的目标是采用未来3DNAND技术的PB级固态硬盘但要到2030年以后才会上架

三星已经讨论了其未来3DNAND技术在其SSD中提供高达PB容量的计划，尽管它们可能会在十年后出现。

在今年的中国闪存市场峰会(CFMS2023)上，三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名闪存公司一同出席。三星电子以“闪存的再进化，迈向新时代”为题与现场观众进行了交流。该讨论强调了该公司的高级内存容量的能力以及通过其3DNAND闪存实现如此高容量的努力。

三星电子NAND产品规划组副总裁兼总经理KyungryunKim解释说，三个层次的技术——物理缩放、逻辑缩放和封装技术——不仅在不断发展，而且理论上能够达到1PB的容量，或1,024太字节(TB)。然而，按照今天当前的技术标准，该公司将无法再过10年实现这一目标。此外，该公司正在寻求将四级单元技术用于更多存储设备，并专注于使该技术更加熟练。

在讨论达到五级容量的演进路径时，该公司还展示了PM1743系列PCIe5.0固态硬盘(SSD)。新的PM1743系列的能效比以前的型号高出40%，并且已经过测试与Intel和AMDPCIeGen5平台兼容。

三星在讨论其技术进步时总是有些沉默，尤其是3DNAND内存。该公司正在继续寻找方法，以更广泛的采用率将四级单元3DNAND设备推向公众。三星认为专注于更新的控制器技术将实现这些目标。目前，该公司在物理上扩展了3DNAND设备。然而，该公司需要研究逻辑扩展，以让存储设备访问超过一千层。逻辑缩放将允许增加每个单元格中存储的信息位数。

尽管该公司一直对其技术保持沉默，但其竞争对手铠侠对其发展却更加透明。该公司于2019年推出了五级单元3DNAND存储器，每个单元最多可存储五位(5bpc)。两年后，Kioxia超越了5bpc技术，达到了6bpc。该公司表示，他们还在研究是否可以将速度提高到8bpc，从而创建八级单元3DNAND存储设备。目前，该公司尚未达到这样的长度。

每个单元存储多个位对许多3DNAND制造商提出了许多挑战。识别能够存储各种电压状态同时又能够区分它们以防止干扰的材料是所有公司目前都在努力克服的障碍之一。此外，他们还需要开发纠错技术，以便在每个单元的位数增加时保持数据完整性。